图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BSP125 L6433
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP125 L6433由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP125 L6433价格参考。InfineonBSP125 L6433封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSP125 L6433参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP125 L6433 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 mA |
| Id-连续漏极电流 | 120 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP125 L6433SIPMOS® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP125_Rev.1.12.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42f49a94b2f |
| 产品型号 | BSP125 L6433 |
| Pd-PowerDissipation | 1800 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45000 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45000 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14.4 ns |
| 下降时间 | 14.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 94µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 欧姆 @ 120mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | BSP125 L6433DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 45000 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 120 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120mA （Ta） |
| 系列 | BSP125 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | BSP125L6433HTMA1 |
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